宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货
10月31日消息，宏微科技披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展，包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证；自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证，部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面，车规级1200V SiC自研模块正在研制中，亦已通过可靠性验证。同时，公司表示会坚决拥护国家利好政策，结合战略规划和经营发展需要，用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划，公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外，公司在2024年第三季度，工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%，整体营收结构相对稳定。
上一篇：HashKey Jeffrey：降息周期开启，加密市场波动为哪般
下一篇：DWF Labs partner exposed for intending to drug rape, with more than one victim!
下一篇：DWF Labs partner exposed for intending to drug rape, with more than one victim!
相关文章：